量子比特数目。
而想要提高石墨烯内部可存在的量子比特数目，就必须要消除这种影响。
可是怎么消除呢？
艾亮的交给他的那十一份失败的实验数据材料证明，想要消除石墨烯材料内部的净核自旋现象是个相当艰难的工作。
原因很简单。
因为净核自旋是石墨烯原子核的的重要性质之一。
原子核由质子和中子组成，质子和中子都有确定的自旋角动量，它们在核内还有轨道运动，相应地有轨道角动量。
所以这些角动量的总和就是原子核的自旋角动量，反映了原子核的内禀特性。
一旦消除了原子核的净核自旋现场，显然就意味着会消除石墨烯原子的特性。
石墨烯作为半导体材料优良的导电性将不复存在。
这种捡了芝麻丢西瓜的事，显然不是改良石墨烯半导体材料性能的初衷。
但是……
净核自旋现象的的确确会影响石墨烯半导体可容纳的量子比特数目。
这就变成了一个很矛盾的问题。
消除净核自旋现象吧，石墨烯半导体的优良导电性将不复存在。
但不消除的话，可容纳的量子比特数目又被死死的限制住。
郭院士团队在针对这个问题时，想到的一种理论上可行的解决方案。
那就是不完全消除石墨烯内部原子核的净核自旋现场，仅消除其中的一部分。
这让既保证了石墨烯自身的优良导电性，有增加了可容纳量子比特的数目。
但理想很丰满，现实很骨感。
顾律面前的这十一份失败的实验记录便是证据。
这个方案虽然在理论上可行。
但难就难在，需要在这两者之间找到一个恰到好处的平衡点。
究竟需要消除多少净核自旋现象，才能保证在不影响导电性的情况下，增加量子比特数目。
这个‘量’很难让人把握。
所以导致郭院士团队之前的十一次实验全部以彻彻底底的失败告终。
并且，在十一次实验数据中，其中有七八份实验数据得到的结果，是石墨烯半导-->>
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