的面前。
那就是石墨烯半导体材料零能隙能带的大小。
正常情况下，石墨烯材料的零能隙能带大概为2.5电子伏特左右。
不过，想要实现量子比特构造的简单话，2.5电子伏特这个数字有显得太小了。
为了避免量子比特刚巧出现在零能隙能带上，从而使得量子比特构造的设计变得更加复杂，零能隙能带的数值要尽可能的大！
比如说，让石墨烯的零能隙能带提高到5电子伏特，就可以极大程度上减少零能隙能带存在对于量子比特构造的影响。
但是，这样的话又有另一个问题摆在顾律面前。
增大石墨烯零能隙能带的数值，的确可以实现量子比特结构的简单话，这一点错没有，但顾律显然不能这样做。
因为一旦提高石墨烯零能隙能带的大小，尤其是将零能隙能带由2.5电子伏特提高到5电子伏特的话，这显然会使得石墨烯从“半导体”变为“绝缘体”。
前面提高过。
零能隙能带一旦过大，材料中的电子就很难跳跃至传到带。
电子无法跳跃到传到带，那石墨烯材料就失去了导电性。
摆在顾律面前的就是这样一个问题。
零能隙能带不能太小，太小的话会让量子比特的构造设计变得异常复杂。
但零能隙能带同样不能太大，太大的话，电子无法跳跃，石墨烯材料失去导电性。
乍看起来，这和顾律等人在前面那个净核自旋影响课题上遇到的情况差不多。
但和那个课题不同的是，这一次，在这明显矛盾的两点中，并没有平衡点可以让顾律去寻找。
顾律只能通过某种别的方式，在保证量子比特构造简单化的同时，还依旧保持石墨烯材料本身的导电性。
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